[发明专利]一种红外液晶相控阵芯片有效

专利信息
申请号: 201410615813.1 申请日: 2014-11-05
公开(公告)号: CN104330931A 公开(公告)日: 2015-02-04
发明(设计)人: 张新宇;罗俊;佟庆;雷宇;桑红石;谢长生 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/133;G02F1/29;G01J3/12
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 廖盈春
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种红外液晶相控阵芯片。该芯片包括电控液晶调相微柱阵列;其包括液晶材料层,依次设置在液晶材料层上表面的液晶初始取向层、电隔离层、图形化电极层、基片和红外增透膜,以及依次设置在液晶材料层下表面的液晶初始取向层、电隔离层、公共电极层、基片和红外增透膜;图形化电极层由阵列分布的子电极构成,每个子电极均由正方形或长方形导电膜构成;电控液晶调相微柱阵列被划分成阵列分布的电控液晶调相微柱,其与子电极一一对应,单个子电极的面积与对应的电控液晶调相微柱的光接收面积的比值为50%~95%。该芯片能实现电控扩束、缩束、散束、聚束、束调向以及束扫描等功能,易与其它红外光学光电机械结构耦合,光场适应性好。
搜索关键词: 一种 红外 液晶 相控阵 芯片
【主权项】:
一种红外液晶相控阵芯片,其特征在于,包括电控液晶调相微柱阵列;所述电控液晶调相微柱阵列包括液晶材料层,依次设置在所述液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜,以及依次设置在所述液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜;所述公共电极层由一层匀质导电膜构成;所述图形化电极层由m×n元阵列分布的子电极构成,每个子电极均由正方形或长方形导电膜构成,其中,m、n均为大于1的整数;所述电控液晶调相微柱阵列被划分成m×n元阵列分布的电控液晶调相微柱,所述电控液晶调相微柱与所述子电极一一对应,每个子电极均位于对应的电控液晶调相微柱的中心,形成电控液晶调相微柱的上电极,所有电控液晶调相微柱的下电极由所述公共电极层提供;单个子电极的面积与对应的电控液晶调相微柱的光接收面积的比值为电极填充系数,所述电极填充系数为50%~95%。
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