[发明专利]一种新颖碳纳米花及其制备方法在审
申请号: | 201410616029.2 | 申请日: | 2014-11-04 |
公开(公告)号: | CN105883746A | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
发明(设计)人: | 耿宏章;丁二雄;李麟阁;王炎;罗志佳;杨海杰;王婧 | 申请(专利权)人: | 天津工业大学 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300387 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种新颖碳纳米花及其制备方法,其特征在于:(1)碳纳米花由一根茎和茎顶部的许多分支组成,类似于一束盛开的花;(2)碳纳米花是由热化学气相沉积法制备的。碳纳米花的制备步骤包括:(1)用喷枪把硝酸镍乙醇溶液喷在加热的硅片基底表面;(2)将表面覆有硝酸镍纳米颗粒的硅片插入加热到400℃的石英管,空气中分解十分钟后封口;(3)通入氩气和氢气的混合气以使氧化物还原得到金属纳米颗粒的催化剂;(4)通入乙炔在750℃的温度下化学反应沉积一段时间后,得到硅片表面的黑色薄膜即为目标产物碳纳米花。 | ||
搜索关键词: | 一种 新颖 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种新颖碳纳米花及其制备方法,其特征是所制备的碳纳米花由一根茎和茎顶部的许多分支组成,类似于一束盛开的花,其制备步骤为:配制硝酸镍乙醇溶液,用喷枪将硝酸镍纳米颗粒喷在硅片基底上,在400℃分解并还原后,以乙炔为碳源,氩气和氢气的混合气为稀释气体,在480~820℃采用热化学气相沉积法制备目标产物。
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