[发明专利]通讯波段GaN基量子级联高速激光器在审
| 申请号： | 201410617322.0 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104332820A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;赵鹏超;齐爱谊;渠红伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种通讯波段GaN基量子级联高速激光器，包括：一衬底；一半导体材料缓冲层；一下半导体材料接触层；一下光学限制层，为圆形、环形或矩形，其制作在下半导体材料接触层上面的一侧，该下半导体材料接触层上面的另一侧形成一台面；一半导体材料有源层，其制作在下光学限制层上；一上光学限制层，其制作在半导体材料有源层上；一上半导体材料接触层，其制作在上光学限制层上；一第一金属电极，为圆形、环形或矩形，其制作在台面上；一第二金属电极，其制作在上半导体材料接触层上。本发明利用子带跃迁速率快与激光器腔模小体积优势，实现高速直接调制激光器，将调制速率增加到百G水平。 | ||
| 搜索关键词： | 通讯 波段 gan 量子 级联 高速 激光器 | ||
【主权项】：
一种通讯波段GaN基量子级联高速激光器，包括：一衬底；一半导体材料缓冲层，其制作在衬底上；一下半导体材料接触层，其制作在半导体材料缓冲层上；一下光学限制层，为圆形、环形或矩形，其制作在下半导体材料接触层上面的一侧，该下半导体材料接触层上面的另一侧形成一台面；一半导体材料有源层，形状与下光学限制层相同，其制作在下光学限制层上；一上光学限制层，形状与下光学限制层相同，其制作在半导体材料有源层上；一上半导体材料接触层，形状与下光学限制层相同，其制作在上光学限制层上；一第一金属电极，为圆形、环形或矩形，其制作在下半导体材料接触层上面另一侧的台面上；一第二金属电极，形状与下光学限制层相同，其制作在上半导体材料接触层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410617322.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
