[发明专利]垂直式发光二极管的制造方法在审
| 申请号： | 201410618495.4 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105633222A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种垂直式发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供一基体，在基体的第一表面表面形成多个凸起；在所述凸起外表面形成一氮化铝层；加热氮化铝层，使氮化铝层结晶；将凸起从氮化铝层内脱离；在氮化铝层外成长缓冲层；在所述基体缓冲层上依次成长N‑GaN层、发光活性层和P‑GaN层，从而获得发光二极管磊晶结构；提供导电基板，将所述发光二极管磊晶结构粘结于所述导电基板上；提供分离板，将基体从上述发光二极管磊晶结构中分离；使用物理蚀刻的方式蚀刻缓冲层直至至n‑GaN层并在n‑GaN层上设置N电极。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直式发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供一基体，在基体的第一表面形成多个凸起；在所述凸起外表面形成一氮化铝层；加热氮化铝层，使氮化铝层结晶；将凸起从氮化铝层内脱离；在氮化铝层外成长缓冲层，所述缓冲层包括底部及远离基体第一表面的顶部，所述底部与所述顶部之间间隔形成有空隙，所述氮化铝层穿过底部、空隙而深入顶部；在所述基体缓冲层上依次成长N-GaN层、发光活性层和P-GaN层，从而获得发光二极管磊晶结构；提供导电基板，将所述发光二极管磊晶结构粘结于所述导电基板上；提供分离板，将所述分离板固定于发光二极管磊晶结构的基体上，施加外力于分离板使缓冲层的顶部及底部自空隙处分离而氮化铝层从空隙处折断而将基体从上述发光二极管磊晶结构中分离；使用物理蚀刻的方式蚀刻缓冲层直至N-GaN层并在N-GaN层上设置N电极。
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