[发明专利]自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路

摘要

本发明公开了一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路，涉及为提高效率和线性而对放大器进行改进的电路技术领域。偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路，第一路与晶体管QA1的基极连接，第二路与晶体管QA2的集电极连接，第三路经电容Cin接地，第四路与晶体管QB1的基极连接；晶体管QA1和晶体管QB1的集电极接VCC，晶体管QA1的发射极经电阻RA1接晶体管QA2的基极，晶体管QA2的发射极接地，晶体管QB1的发射极电流经电阻Rp后分别输出给一个以上的射频功率放大管支路。电路采用自适应偏置线性结构，能够有效实现高线性和高功率附加效率，同时具有温补作用，而且简化了电路，降低制作难度，提高成品率。

主权项

一种自适应双极型晶体管功率放大器线性偏置电路，其特征在于：所述偏置电路的电源输入端经电阻Rbias0分为四路，第一路与晶体管QA1的基极连接，第二路与晶体管QA2的集电极连接，第三路经电容Cin接地，第四路与晶体管QB1的基极连接；晶体管QA1和晶体管QB1的集电极接VCC，晶体管QA1的发射极经电阻RA1接晶体管QA2的基极，晶体管QA2的发射极接地，晶体管QB1的发射极电流经电阻Rp后分别输出给一个以上的射频功率放大管支路，电容Cp和电阻Rp1串联后与电阻Rp并联，每个射频功率放大管支路包括一个电阻Rbiasn和一个射频功率放大管QRFn，电阻Rbiasn的一端接电阻Rp与电阻Rp1的结点，电阻Rbiasn的另一端接射频功率放大管QRFn的基极，射频功率放大管QRFn的发射极接地，其中n为自然数；晶体管QA1、晶体管QA2和晶体管QB1构成线性偏置电路的核心有源部分，晶体管QA1、晶体管QA2和电阻RA1实现稳定的基准带隙电压，晶体管QB1连接为射极跟随结构，电容Cin实现射频接地；偏置电阻Rp、电容Cp和电阻Rp1用于构成恒流和自适应改善线性特性，利用偏置电阻Rp、电容Cp、电阻Rp1、晶体管QB1和电容Cin，实现调整跟随晶体管QB1和射频功率放大管QRFn的阻抗变化，使基极‑发射极电压VBE在一定范围内的输入功率下维持稳定，改善线性，实现射频分流，同时保证射频路径上的射频信号损耗降至最低；所述电路还包括电阻Rp20‑Rp21以及电阻Rp30‑Rp33，所述电阻Rp、电阻Rp20和电阻Rp30串联连接，电阻Rp21与电阻Rp20并联，电阻Rp31‑Rp33分别与电阻Rp30并联，电阻Rp30的悬空端分别与射频功率放大管支路上的电阻Rbiasn的悬空端连接。