[发明专利]一种氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201410619764.9 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104445047A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 秦玉香;柳杨;谢威威;刘成;胡明 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列及其制备方法，由氧化钨/氧化钒异质结纳米线组成，氧化钨/氧化钒异质结纳米线长度为300—800nm，所述氧化钨纳米线的直径为10-20nm，在所述氧化钨纳米线的外围均匀地包裹氧化钒，所述氧化钒的厚度为20-30nm，氧化钨和氧化钒形成了同轴核壳异质结构，采用对靶磁控溅射和原位生长的方法在基底上进行沉积、生长和热处理。本发明方法制备出形貌良好的氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列结构材料，显著的提高了材料的比表面积，有效的利用了异质结在性能方面的优异性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钨 氧化 钒异质结 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列，其特征在于，氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列由氧化钨/氧化钒异质结纳米线组成，氧化钨/氧化钒异质结纳米线长度为300—800nm，所述氧化钨纳米线的直径为10‑20nm，在所述氧化钨纳米线的外围均匀地包裹氧化钒，所述氧化钒的厚度为20‑30nm，氧化钨和氧化钒形成了同轴核壳异质结构。
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