[发明专利]铜铟镓硒薄膜表面刻蚀的电化学处理方法有效
申请号: | 201410619912.7 | 申请日: | 2014-11-06 |
公开(公告)号: | CN105633200B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 何绪林;梅军;廖成;刘江;叶勤燕;刘焕明 | 申请(专利权)人: | 中物院成都科学技术发展中心 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 四川力久律师事务所51221 | 代理人: | 曹晋玲,刘雪莲 |
地址: | 610200 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开了铜铟镓硒薄膜表面刻蚀的电化学处理方法,包括步骤将铜铟镓硒薄膜硒化后放置在电化学工作站,仅Mo层连接工作电极,在无水乙醇中浸泡;处理溶液为盐、无机酸和去离子水的混合溶液,盐为钠盐、钾盐、镁盐、锌盐或铜盐的任一种,无机酸调节处理溶液的pH值为1~6;铜铟镓硒薄膜放入处理溶液,施加电信号,处理后取出用去离子水冲洗,高纯氮气吹干,电信号为循环伏安电信号、恒压电信号、恒流电信号、脉冲电压电信号或脉冲电流电信号的任一种。本发明的方法能够选择性溶解铜铟镓硒薄膜表面的二次相(CuxSe),优化薄膜的表面质量,克服了腐蚀溶液体系对人体有害且不环保的缺点,利于工业化推广。 | ||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 薄膜 表面 刻蚀 电化学 处理 方法 | ||
【主权项】:
铜铟镓硒薄膜表面刻蚀的电化学处理方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤(1):将铜铟镓硒薄膜硒化后放置在电化学工作站,仅Mo层连接工作电极,在无水乙醇中浸泡1~2min,除去表面颗粒杂质;步骤(2):配制处理溶液,所述处理溶液为0.001~1M/L的盐、无机酸和去离子水的混合溶液,所述盐为钠盐、钾盐、镁盐、锌盐或铜盐的任一种;所述无机酸调节处理溶液的pH值为1~6;步骤(3):步骤(1)处理的铜铟镓硒薄膜放入步骤(2)制得的处理溶液,施加电信号,处理1~500s后取出所述铜铟镓硒薄膜,用去离子水冲洗,高纯氮气吹干,所述电信号为循环伏安电信号、恒压电信号、恒流电信号、脉冲电压电信号或脉冲电流电信号的任一种。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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