[发明专利]钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法，包括步骤铜铟镓硒薄膜硒化后置于电化学工作站，仅Mo层连接工作电极，在无水乙醇中浸泡1～2min，去除表面颗粒杂质；配制处理溶液，所述处理溶液为乙基紫精二高氯酸盐、六氟磷酸四丁胺和有机溶剂的混合溶液；将步骤(1)处理后的铜铟镓硒薄膜放入步骤(2)制得的处理溶液中，施加电信号，1～300s后取出，用无水乙醇冲洗所述铜铟镓硒薄膜表面的残留溶液，电信号为循环伏安电信号、恒压电信号或恒流电信号的任一种。本发明的方法能够有效除去铜铟镓硒薄膜表面的缺陷，降低界面处光生载流子对的复合率，不会对薄膜造成污染。

主权项

钝化铜铟镓硒薄膜表面缺陷的电化学处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤(1)：铜铟镓硒薄膜硒化后置于电化学工作站，仅Mo层连接工作电极，在无水乙醇中浸泡1～2min，去除表面颗粒杂质，高纯氮气吹干；步骤(2)：配制处理溶液，所述处理溶液为0.001～1M/L乙基紫精二高氯酸盐、0.001～1M/L六氟磷酸四丁胺和有机溶剂的混合溶液，所述有机溶剂选自乙腈或甲基紫精的任一种；步骤(3)：将步骤(1)处理后的铜铟镓硒薄膜放入步骤(2)制得的处理溶液中，施加电信号，1～300s后取出，用无水乙醇冲洗所述铜铟镓硒薄膜表面的残留溶液，所述电信号为循环伏安电信号、恒压电信号或恒流电信号的任一种。