[发明专利]改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法在审
| 申请号： | 201410619982.2 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104362124A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 周建华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法。在硅衬底表面依次淀积垫层第一厚度的二氧化硅层和第二厚度的垫层氮化硅层；对垫层二氧化硅层、垫层氮化硅层和硅衬底进行有源区光刻和刻蚀以便在硅衬底中形成凹槽；在凹槽中填充二氧化硅并通过化学机械研磨对填充的二氧化硅进行平坦化处理以得到浅沟槽隔离；剥离垫层氮化硅层。二氧化硅层的第一厚度和垫层氮化硅层的第二厚度被选择成使得浅沟槽隔离的上表面高于硅片有源区衬底的上表面。对形成NMOS源漏SiC外延区之前的所有湿法刻蚀和所有清洗工艺进行控制，使得在之经历所述所有湿法刻蚀和所述所有清洗工艺之后浅沟槽隔离的上表面仍高于硅片有源区衬底的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 沟槽 隔离 边缘 sic 应力 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法，其特征在于包括：在硅衬底中形成浅沟槽隔离，以及制造以浅沟槽隔离隔开的NMOS器件和/或PMOS器件；其中，在硅衬底中形成进行浅沟槽隔离的步骤包括下述步骤：在硅衬底表面依次淀积垫层第一厚度的二氧化硅层和第二厚度的垫层氮化硅层；对垫层二氧化硅层、垫层氮化硅层和硅衬底进行有源区光刻和刻蚀以便在硅衬底中形成凹槽；在凹槽中填充二氧化硅并通过化学机械研磨对填充的二氧化硅进行平坦化处理以得到浅沟槽隔离；剥离垫层氮化硅层；其中，二氧化硅层的第一厚度和垫层氮化硅层的第二厚度被选择成使得浅沟槽隔离的上表面高于硅片有源区衬底的上表面；而且，在制造以浅沟槽隔离隔开的NMOS器件和/或PMOS器件的步骤中，对形成NMOS源漏SiC外延区之前的所有湿法刻蚀和所有清洗工艺进行控制，使得在之经历所述所有湿法刻蚀和所述所有清洗工艺之后浅沟槽隔离的上表面仍高于硅片有源区衬底的上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410619982.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：垂直集成系统
- 下一篇：一种LED刻蚀机托盘结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
