[发明专利]一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 201410620019.6 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN104282766A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李诚瞻;吴煜东;赵艳黎;蒋华平;高云斌;丁荣军 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/22;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在P阱离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P－外延层，载流子输运在P－外延层反型沟道，由于P－外延层的粗糙度小于P阱表面的粗糙度，所以降低了反型层沟道中载流子碰撞或散射几率，提高碳化硅MOSFET器件反型沟道载流子迁移率，降低器件导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 碳化硅 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种新型碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：SiC衬底(9)、设置于所述SiC衬底(9)上方的N－外延层(8)、设置于所述N－外延层(8)上方的两个P阱(7)、设置于P阱(7)上的相互紧邻的N+接触(5)和P+接触(6)，设置于两个P阱(7)中间的JFET区(11)，设置于JFET区(11)上方并延伸至P阱(7)上的SiO2氧化层(2)、设置于SiO2氧化层(2)上方的栅极(1)，设置于P阱(7)上方的源极(4)、设置于所述SiC衬底(9)下方的漏极(10)，以及设置于所述两个P阱(7)上与碳化硅衬底相同大小的P－外延层(3)。
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