[发明专利]光泵浦白光LED及其制备方法在审
| 申请号： | 201410624710.1 | 申请日： | 2014-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN104393131A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 徐健 | 申请（专利权）人： | 深圳市九洲光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光泵浦白光LED及其制备方法，包括一个平面蓝光LED芯片，平面蓝光LED芯片至上而下依次包括蓝宝石衬底，n型GaN层，InGaN/AlGaN双异质结层，P型GaN层；P型GaN层上设有P-电极，n型GaN层设有n电极；蓝宝石衬底上表面生成有使蓝光向蓝宝石衬底竖直方向射出的光子晶体阵列，光子晶体阵列上表面的一侧从下至上依次设有红光波段DBR层和红光波段AlGaInP外延层，光子晶体阵列上表面的另一侧从下至上依次设有绿光波段DBR层和绿光波段AlGaInP外延层。它的优点是响应时间短，使用寿命长，能够很好满足的照明要求。 | ||
| 搜索关键词： | 光泵浦 白光 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光泵浦白光LED，包括一个平面蓝光LED芯片，所述平面蓝光LED芯片至上而下依次包括蓝宝石衬底，n型GaN层，InGaN/AlGaN双异质结层，P型GaN层；所述P型GaN层上设有P‑电极，所述n型GaN层设有n电极；其特征在于，所述蓝宝石衬底上表面生成有使蓝光向蓝宝石衬底竖直方向射出的光子晶体阵列，所述光子晶体阵列上表面的一侧从下至上依次设有红光波段DBR层和红光波段AlGaInP外延层，所述光子晶体阵列上表面的另一侧从下至上依次设有绿光波段DBR层和绿光波段AlGaInP外延层。
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