[发明专利]图像传感器的制造方法在审
| 申请号： | 201410624798.7 | 申请日： | 2014-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN106067445A | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张剑飞 | 申请（专利权）人： | 西安立伟电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了图像传感器的制造方法，包括如下步骤：(1)提供p型衬底，所述p型衬底包括外围区域和像素单元区域；(2)对图像传感器的像素单元区域进行刻蚀，形成浅沟槽区域；(3)对浅沟槽区域的衬里进行氧化；(4)利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，在位于像素单元区域的衬底表面形成n型埋层；(5)在像素单元区域的边界处形成环绕所述像素单元区域的n型隔离环；(6)在p型衬底和n型隔离环处分别形成图像传感器的光电转换部和输出部。本发明制造方法简单，成本低，制造出的图像传感器信噪比高，成像质量好。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
图像传感器的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)提供p型衬底，所述p型衬底包括外围区域和像素单元区域；(2)对图像传感器的像素单元区域进行刻蚀，形成浅沟槽区域；(3)对浅沟槽区域的衬里进行氧化；(4)利用沟槽掩膜进行沟槽区域离子注入，在位于像素单元区域的衬底表面形成n型埋层；(5)在像素单元区域的边界处形成环绕所述像素单元区域的n型隔离环；(6)在p型衬底和n型隔离环处分别形成图像传感器的光电转换部和输出部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
