[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法

摘要

本发明公开了一种自对准金属硅化物的形成方法，通过两步退火工艺，并在第二次退火工艺中引入氢的同位素气体，利用氢的同位素气体与气氛中的微量氧气发生反应来消除氧气，防止金属硅化物被氧化，从而减少或避免金属硅化物的表面缺陷(如金字塔状)，形成形貌平整和均匀性良好的金属硅化物；引入的氢的同位素气体中该同位素原子能进入到金属硅化物和硅衬底的界面处，并与Si结合成新的难以断裂的键，从而修复和减少界面处的缺陷，改善界面态(Dit)。

主权项

一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面至少有一硅区域；在所述硅区域的表面形成金属层；进行第一次退火工艺，使得所述金属层和与之相接触的硅区域表面的硅结合形成第一金属硅化物层；去除未反应的金属层后，在含有氢的同位素气体的气氛下进行第二次退火工艺，在所述第一金属硅化物层形成第二金属硅化物层的同时，所述氢的同位素气体与气氛中存在的氧气结合以消除反应氛围中的氧气，并且在形成的所述第二金属硅化物层和硅区域之间界面处具有Si悬挂键，所述氢的同位素气体的原子X还与Si悬挂键相结合，形成Si‑X键。