[发明专利]砷化镓多晶材料的合成工艺

摘要

本发明公开了一种砷化镓多晶材料的合成工艺，采用该工艺方法在合成砷化镓多晶材料时无需氧化硼封盖层，可以实现批量合成满足化合物半导体单晶材料生长工业化要求的半导体多晶材料。

主权项

一种砷化镓多晶材料的合成工艺，其特征在于：所述方法包括以下步骤：　（1）将镓和砷装入裂解氮化硼坩埚中，将坩埚盖上坩埚盖后放入高压合成炉内，将高压合成炉抽成真空；         （2）向高压合成炉中充入纯度大于或等于99.999％的惰性气体，在t0时间内将压力充至P1，t0的控制范围为18～30分钟，P1的控制范围为3.0～4.0MPa；       （3）将高压合成炉内温度从室温开始匀速升温至H1，H1控制范围为816℃～890℃，采用的升温速率ΔH1的控制范围为40～60℃/分钟，升温时间t1的控制范围为12～26分钟；   （4）将升温速率改为ΔH2继续匀速升温至H2，H2控制范围为1220℃～1250℃,ΔH2控制范围为15～48℃/分钟，升温时间t2控制范围为15～22分钟；        （5）将高压合成炉内温度在H2上保持恒温，恒温时间为t3，t3控制范围为29～52分钟，使合成后的化合物多晶料完全熔化；  （6）将高压合成炉内温度从H2开始匀速降温至H3，H3控制范围为1000℃～1100℃，降温速率为ΔH3，ΔH3控制范围为5～11℃/分钟；  （7）采用降温速率ΔH4继续匀速降温直至室温，ΔH4控制范围为30～40℃/分钟；  （8）在室温下冷却大于等于70分钟，合成过程结束。