[发明专利]一种功率器件模块封装用陶瓷基板的金属化方法在审
| 申请号： | 201410626826.9 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN104392935A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 吴培才;李顺峰;丁松林 | 申请（专利权）人： | 北京大学东莞光电研究院 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 罗晓林;李志强 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率器件模块封装用陶瓷基板的金属化方法，包括步骤：清洗待加工的陶瓷基板，除去该陶瓷基板表面的杂质和污垢；在陶瓷基板表面制作掩膜，该掩膜在激光辐照下会分解气化；激光直写电路，在陶瓷基板上形成电路层，利用激光在敷有掩膜的陶瓷基板上直接写出所需要的电路图形；镀金属膜层，在激光直写出电路的带掩膜陶瓷基板上镀金属膜层；除去掩膜，使在掩膜上形成的金属膜层与陶瓷基板相剥离；在电路层上镀金属加厚层；在金属加厚层上镀金属保护层，完成陶瓷基板的金属化加工。本发明在敷有掩膜的陶瓷基板上通过激光直写出电路，精度高、速度快、可重复性好、且能够在非平面的立体陶瓷上实现，减小了工艺成本，并且更环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 模块 封装 陶瓷 金属化 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件模块封装用陶瓷基板的金属化方法，包括以下步骤：清洗待加工的陶瓷基板，除去该陶瓷基板表面的杂质和污垢；在陶瓷基板表面制作掩膜，该掩膜在激光辐照下会分解气化；激光直写电路，在陶瓷基板上形成电路层，利用激光在敷有掩膜的陶瓷基板上直接写出所需要的电路图形；镀金属膜层，在激光直写出电路的带掩膜陶瓷基板上镀金属膜层；除去掩膜，使在掩膜上形成的金属膜层与陶瓷基板相剥离；在电路层上镀金属加厚层；在金属加厚层上镀金属保护层，完成陶瓷基板的金属化加工。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
