[发明专利]沟槽器件的制作方法

摘要

本发明提供了一种沟槽器件的制作方法，进行化学机械抛光直至外延层与阻止层的顶面齐平为止，然后测量半导体衬底上方的阻止层的实际厚度，并根据半导体衬底上方的阻止层的实际厚度刻蚀沟槽内的外延层，直至使外延层与半导体衬底顶面齐平，该方法既可以去除高于半导体衬底顶面的外延层又不会损伤到零层光刻标记，如此，即可保证不会影响光刻对位，又可避免外延层相对于半导体衬底存在凸起使后道的栅氧、多晶工艺等形成台阶，有利于提高器件的耐压等性能。

主权项

1.一种沟槽器件的制作方法，其特征在于，包括：提供具有特定掺杂类型的半导体衬底；刻蚀半导体衬底形成零层光刻标记；在所述半导体衬底上形成阻止层；刻蚀所述阻止层及所述阻止层下方的半导体衬底形成若干沟槽；进行外延填充工艺在所述沟槽中形成与所述衬底的掺杂类型相反的外延层，所述外延层具有高出所述阻止层顶面的凸起部分；进行化学机械抛光直至所述外延层与所述阻止层的顶面齐平；测量所述半导体衬底上方的阻止层的实际厚度，并根据所述半导体衬底上方的阻止层的实际厚度刻蚀所述沟槽内的外延层，直至使所述外延层与所述半导体衬底顶面齐平，且不会损伤零层光刻标记；去除所述阻止层。