[发明专利]一种具有浮岛结构的沟槽型二极管有效
| 申请号： | 201410629077.5 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN104393055A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;伍济;刘永;陈钱;郭绪阳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有浮岛结构的沟槽型二极管。本发明的沟槽型二极管，其特征在于，在沟槽中设置有第一N型半导体掺杂区、浮空P岛和第二N型半导体掺杂区；所述第二N型半导体掺杂区位于沟槽的侧壁与栅氧化层相连；所述浮空P岛位于第二N型半导体掺杂区之间；所述第一N型半导体掺杂区位于第二N型半导体掺杂区和浮空P岛的顶部，并与阳极相连。本发明的有益效果为，可在同样的电流密度下实现更低的正向压降，器件在高温下的可靠性更好。本发明尤其适用于沟槽型二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 沟槽 二极管 | ||
【主权项】：
一种具有浮岛结构的沟槽型二极管，包括N型半导体衬底(7)、位于N型半导体衬底(7)底部的阴极(8)、位于N型半导体衬底(7)上层的N型半导体漂移区(6)、位于N型半导体漂移区(6)上层的栅氧化层(2)和位于栅氧化层(2)上层的阳极(1)；所述栅氧化层(2)为沟槽型结构；其特征在于，在沟槽两侧的栅氧化层(2)之间设置有第一N型半导体掺杂区(3)、浮空P岛(4)和第二N型半导体掺杂区(5)；所述第二N型半导体掺杂区(5)位于沟槽的侧壁与栅氧化层(2)相连；所述浮空P岛(4)位于沟槽两侧的第二N型半导体掺杂区(5)之间；所述第一N型半导体掺杂区(3)位于第二N型半导体掺杂区(5)和浮空P岛(4)的顶部，并与阳极(1)相连。
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