[发明专利]在横磁电磁场模式下抑制介质表面二次电子倍增的方法有效
| 申请号： | 201410632331.7 | 申请日： | 2014-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN104393372A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 常超;李爽;孙钧;郭乐田;武晓龙;谢佳玲 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | H01P1/08 | 分类号： | H01P1/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 710000 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种在横磁电磁场模式下抑制介质表面二次电子倍增的方法，所述方法包括：根据二次电子发射产额曲线的第一交叉点，确定磁场的回旋频率，二次电子发射产额曲线由介质表面材料确定；根据磁场的回旋频率，在介质表面施加磁场，介质表面为周期性介质表面，磁场满足：磁场的磁力线平行；磁场的回旋频率在预设范围内均匀；磁场的方向垂直于横磁电磁场模式的法向电场方向、平行于横磁电磁场模式的切向电场方向以及平行于介质表面。本发明的方法通过采用周期性介质表面，并在周期性介质表面施加磁场的手段，使得在不同电场条件下，本发明的方法都能够对介质表面二次电子的倍增起到一定的抑制效果，并且随着电场场强的提高，抑制效果更好。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 磁场 模式 抑制 介质 表面 二次电子 倍增 方法 | ||
【主权项】：
一种在横磁电磁场模式下抑制介质表面二次电子倍增的方法，其特征在于，所述方法包括：根据二次电子发射产额曲线的第一交叉点，确定磁场的回旋频率，所述二次电子发射产额曲线由介质表面材料确定；根据所述磁场的回旋频率，在介质表面施加磁场，所述介质表面为周期性介质表面，所述磁场满足：磁场的磁力线平行；磁场的回旋频率在预设范围内均匀；磁场的方向垂直于横磁电磁场模式的法向电场方向、平行于横磁电磁场模式的切向电场方向以及平行于所述介质表面。
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