[发明专利]适用于高压环境的压敏电阻本体的制备方法在审
| 申请号： | 201410632573.6 | 申请日： | 2014-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106064937A | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 闫宁 | 申请（专利权）人： | 西安立伟电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了适用于高压环境的压敏电阻本体的制备方法，所述的压敏电阻本体的制备步骤如下：1)、选取原料，进行均匀混合搅拌，2)、采用行星式球磨，使其充分混合均匀，3)、将得到的球磨混合料烘干后对其进行粉碎处理，4)、向上述粉碎物加入PVA溶液，进行造粒，成型，5)、将上述型体放入坩埚中高温烧结成多晶半导体陶瓷非线性基片，6)、在基本两端面附上电极，既制得所需的压敏电阻本体；本发明具有较大压敏电压，较小的漏电流，且具有良好的大电流通流能力，可以获得不同电压范围的高压环形压敏电阻器，制备工艺简单，能耗较低，安全可靠，符合制作压敏电阻的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 高压 环境 压敏电阻 本体 制备 方法 | ||
【主权项】：
适用于高压环境的压敏电阻本体的制备方法，其特征在于：所述的压敏电阻本体的制备步骤如下：1)、选取原料，进行均匀混合搅拌；2)、采用行星式球磨，使其充分混合均匀；3)、将得到的球磨混合料烘干后对其进行粉碎处理；4)、向上述粉碎物加入PVA溶液，进行造粒，成型；5)、将上述型体放入坩埚中高温烧结成多晶半导体陶瓷非线性基片；6)、在基本两端面附上电极，既制得所需的压敏电阻本体。
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