[发明专利]存储元件及其操作方法有效
申请号: | 201410634405.0 | 申请日: | 2014-11-12 |
公开(公告)号: | CN105655337B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 李亚睿 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11529 | 分类号: | H01L27/11529;H01L27/11573;G11C16/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种存储元件及其操作方法。存储元件包括基底、多个字线以及多个虚拟字线。所述字线以及所述虚拟字线位于基底上。每一虚拟字线的至少一侧与字线相邻。至少一字线以及至少一虚拟字线形成一群组。所述存储元件的操作方法包括以下步骤。选择至少一群组,并对所述群组进行操作。施加第一偏压至所述群组中的字线。施加第二偏压至所述群组中的虚拟字线。 | ||
搜索关键词: | 存储 元件 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种存储元件的操作方法,该存储元件包括一基底、多个字线以及多个虚拟字线,这些字线以及这些虚拟字线位于该基底上,每一虚拟字线的至少一侧与所述字线相邻,其中至少一字线以及至少一虚拟字线形成一群组,该操作方法包括:选择至少一群组,并对所述群组进行一操作;施加一第一偏压至所述群组中的所述字线;以及施加一第二偏压至所述群组中的所述虚拟字线;其中,当该第一偏压与该第二偏压相同时,该群组中的字线与虚拟字线具有相同的电位;每一群组包括两个所述虚拟字线以及一个所述字线,这些虚拟字线分别位于所述字线的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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