[发明专利]LED外延结构及其生长方法在审
| 申请号： | 201410634596.0 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104409590A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张宇;苗振林;牛凤娟 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人： | 何自刚 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LED外延结构，包括：蓝宝石衬底；低温缓冲层，位于所述蓝宝石衬底之上；高温GaN层，位于低温缓冲层之上；高温N型GaN层，位于高温GaN层之上；过渡层，位于高温N型GaN层之上，其中过渡层为Si3N4/GaN超晶格层和不掺杂的GaN层交替排列的过渡层，该过渡层的厚度为30-120nm；发光层，位于过渡层之上，发光层包括交替排列的掺杂In的InxGa(1-x)N层和不掺杂的GaN层；P型AlGaN层，位于发光层之上；以及，高温P型GaN层，位于P型AlGaN层之上。本发明还公开了一种LED外延结构的生长方法。本发明提供的LED外延结构减少了高温N型GaN层和发光层之间的应力。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构，其特征在于，包括：蓝宝石衬底；低温缓冲层，位于所述蓝宝石衬底之上；高温GaN层，位于所述低温缓冲层之上；高温N型GaN层，位于所述高温GaN层之上；过渡层，位于所述高温N型GaN层之上，其中所述过渡层为Si3N4/GaN超晶格层和不掺杂的GaN层交替排列的过渡层，该过渡层的厚度为30‑120nm；发光层，位于所述过渡层之上，所述发光层包括交替排列的掺杂In的InxGa(1‑x)N层和不掺杂的GaN层；P型AlGaN层，位于所述发光层之上；以及，高温P型GaN层，位于所述P型AlGaN层之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410634596.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双向通信电路和空调器
- 下一篇：基于线性驱动的线束下线机系统
