[发明专利]电感耦合型等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201410635189.1 申请日: 2014-11-12
公开(公告)号: CN105655220B 公开(公告)日: 2018-01-02
发明(设计)人: 周旭升;吴狄;倪图强 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H05H1/46
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,林彦之
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种电感耦合型等离子体处理装置,包括反应腔室,所述反应腔室顶部具有绝缘盖板,所述绝缘盖板具有一开口;垂直设置于所述绝缘盖板上通过所述开口与所述反应腔室连通的绝缘套筒;卷绕于所述绝缘套筒上的第一电感耦合线圈,所述第一电感耦合线圈中通入射频电流以将引入所述反应腔室的工艺气体在所述绝缘套筒内和/或其下方激发为等离子体;以及设置于所述绝缘套筒中的第一冷却元件,其与所述等离子体接触的部分具有抗等离子体涂层,所述第一冷却元件中流通冷却介质以冷却所述等离子体。本发明能够降低等离子体温度,避免等离子体对基片表面损伤。
搜索关键词: 电感 耦合 等离子体 处理 装置
【主权项】:
一种电感耦合型等离子体处理装置,其特征在于,包括:反应腔室,所述反应腔室顶部具有绝缘盖板,所述绝缘盖板具有一开口;垂直设置于所述绝缘盖板上通过所述开口与所述反应腔室连通的绝缘套筒;卷绕于所述绝缘套筒上的第一电感耦合线圈,所述第一电感耦合线圈中通入射频电流以将引入所述反应腔室的工艺气体在所述绝缘套筒内和/或其下方激发为等离子体;以及设置于所述绝缘套筒中的第一冷却元件,其与所述等离子体接触的部分具有抗等离子体涂层,所述第一冷却元件中流通冷却介质以冷却所述等离子体;其中所述工艺气体通过位于所述反应腔室侧壁顶部的气体输入口引入所述反应腔室;所述绝缘盖板上设置嵌套于所述第一电感耦合线圈之外的第二电感耦合线圈,所述第二电感耦合线圈中通入射频电流以将引入所述反应腔室的工艺气体在所述绝缘盖板下方激发为等离子体。
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