[发明专利]激光熔覆制备极限电流型氧传感器致密扩散障碍层的方法有效
| 申请号： | 201410635268.2 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104357836A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;葛启桢;侯羽航;秦华杰 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C23C24/10 | 分类号： | C23C24/10 |
| 代理公司： | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人： | 李在川 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 针对现有技术中极限电流型氧传感器的致密扩散障碍层制备方法中存在的不足，提供了一种激光熔覆制备极限电流型氧传感器致密扩散障碍层的方法，属于激光熔覆技术领域。该方法先通过采用预置法将致密扩散障碍层粉体La0.84Sr0.16MnO3或La0.8Sr0.2Ga0.2Fe0.8O3-δ粘附在La0.8Sr0.2Ga0.83Mg0.17O3-δ或ZrO2(Y2O3)固体电解质表面，再利用激光器将上述的致密扩散障碍层粉体熔覆在固体电解质表面，即得到了覆盖有致密扩散障碍层的固体电解质。通过该方法制备的致密扩散障碍层，其组织致密均匀，无气孔，与基体结合强度高，宽度和厚度可精确控制，而且可使基体的热影响区范围和变形减小到最低程度，制造周期短。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 制备 极限 电流 传感器 致密 扩散 障碍 方法 | ||
【主权项】：
一种激光熔覆制备极限电流型氧传感器致密扩散障碍层的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用预置法将致密扩散障碍层粉体La0.84Sr0.16MnO3或La0.8Sr0.2Ga0.2Fe0.8O3‑δ粘附在La0.8Sr0.2Ga0.83Mg0.17O3‑δ或ZrO2(Y2O3)固体电解质表面；(2)利用激光器将上述的致密扩散障碍层粉体熔覆在固体电解质表面，粉体快速冷却形成一层合金熔覆层，即得到了覆盖有致密扩散障碍层的固体电解质，制得的致密扩散障碍层的厚度≤2mm。
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