[发明专利]一种过渡金属硼化物涂层及其制备方法有效
申请号: | 201410635526.7 | 申请日: | 2014-11-12 |
公开(公告)号: | CN104404467B | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 唐永炳;蒋春磊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | C23C14/46 | 分类号: | C23C14/46;C23C14/35;C23C14/06 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种过渡金属硼化物涂层及其制备方法,方法包括:将基底待沉积表面进行离子轰击清洗;将离子轰击清洗后的基底表面上用电弧离子镀形成过渡金属层;用磁控溅射与电弧离子镀共沉积的复合镀膜技术在过渡金属层上形成过渡金属硼化物涂层MBx。本发明中采用通过磁控溅射与电弧离子镀相结合的MS/AIP复合沉积工艺,得到通过过渡金属层与基底表面结合的过渡金属硼化物涂层MBx;其中过渡金属层通过电弧离子镀进行沉积,具有高的离化率和粒子能量,在沉积过程中由于负偏压的作用,可以对基底表面进行有效的离子轰击,提高了沉积粒子的动能,使表面不断沉积的粒子与表层原子发生冶金结合,最终使基底表面和沉积的过渡金属硼化物涂层MBx的结合力大大提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 过渡 金属 硼化物 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种过渡金属硼化物涂层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将基底待沉积表面进行离子轰击清洗,所述离子轰击清洗过程中,基底上的负偏压为500~1000V;将所述离子轰击清洗后的基底表面上用电弧离子镀形成过渡金属层,所述电弧离子镀过程中,基底上的负偏压为100~300V;用磁控溅射与电弧离子镀共沉积的复合镀膜技术在所述过渡金属层上形成过渡金属硼化物涂层MBx,所述磁控溅射与电弧离子镀共沉积过程是磁控溅射与电弧离子镀同时进行;其中,所述磁控溅射与电弧离子镀共沉积过程中,基底上的负偏压为30~100V,磁控靶为过渡金属硼化物MBy,电弧靶为过渡金属M;其中,y>x。
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