[发明专利]具有斜面PN结结构的像元单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有斜面PN结结构的像元单元及其制造方法，该像元单元包括衬底和衬底上的PN结结构，衬底表面具有向上凸起的截面为多边形的多边形部，多边形部具有顶面，顶面包括至少两个相连的且表面朝上方或斜上方的斜面，PN结结构覆盖于顶面的表面。本发明实现了PN结结构的非平面效果，扩大了PN结的表面积，增大了光吸收的吸收面积，也增加了三角形结构之间的二次光学反射和吸收，从而提高像元单元的光吸收量。本发明可以提高整个CMOS影像传感器的光学灵敏度和清晰度，提升了芯片的性能和可靠性。

主权项

1.一种具有斜面PN结结构的像元单元，其特征在于：其包括衬底和衬底上的PN结结构，所述衬底表面具有向上凸起的截面为多边形的多边形部，所述多边形部具有顶面，所述顶面包括两个相交的斜面以形成三角形部或包括两个斜面及其中间的平面以形成梯形部，所述PN结结构覆盖于所述顶面的表面，所述三角形部或梯形部的底边与衬底表面之间还具有中间层部，所述中间层部的两侧内凹使截面呈倒梯形，所述三角形部和中间层部共同构成了衬底表面向上凸起的五边形部，其中，所述中间层部的内凹处下方的衬底也形成PN结结构，共同形成了PN结的三维结构。