[发明专利]化成箔后处理方法、电极箔和电容器在审
申请号: | 201410635759.7 | 申请日: | 2014-11-12 |
公开(公告)号: | CN104409212A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 赵大成;曹勇飞 | 申请(专利权)人: | 深圳新宙邦科技股份有限公司 |
主分类号: | H01G9/028 | 分类号: | H01G9/028;H01G9/042;H01G9/15 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 彭家恩;彭愿洁 |
地址: | 518118 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请公开了一种化成箔的后处理方法、电极箔,以及采用该电极箔制备的电容器。本申请的化成箔后处理方法包括,在化成箔的金属氧化层表面涂覆电解质胶液,形成电解质层;电解质胶液中含有导电聚合物、水性树脂、硅烷偶联剂。由该方法制备的电极箔,在用于制备电容器时,不仅可有效简化电容器生产工艺,提高生产效率;而且,与现有的工艺相比,避免了EDOT单体和氧化剂聚合所带来的不确定性,以及由此造成的对电容器质量的影响。本申请的电极箔,其电解质层结构致密,附着牢固稳定,具有良好的导电性且与金属氧化层接触良好,并且在保持固体电解电容器优良特性的同时,提高了其高频性能。 | ||
搜索关键词: | 化成 处理 方法 电极 电容器 | ||
【主权项】:
一种化成箔的后处理方法,其特征在于:包括在化成箔的金属氧化层表面涂覆电解质胶液,形成电解质层;所述电解质胶液中含有导电聚合物、水性树脂、硅烷偶联剂和流平剂。
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