[发明专利]InGaAs量子点太阳能电池及其制作方法

摘要

一种InGaAs量子点太阳能电池及其制作方法，包括：利用外延生长方法在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、基极、InGaAs量子点超晶格结构、发射极、窗口层和接触层后制作出InGaAs量子点太阳能电池外延片，InGaAs量子点超晶格结构包括至少一层In_xGa_1-xAs量子点层、以及设置在In_xGa_1-xAs量子点层之间的间隔层。本发明通过调节InGaAs量子点超晶格结构的结构、材料、材料组分以及其生长参数来来调节量子点结构的密度、尺寸和禁带宽度，使得量子点结构中分立能级上的载流子具有较长寿命，能够级联式地吸收两个或多个光子，制作出高效的InGaAs量子点太阳能电池。

主权项

一种InGaAs量子点太阳能电池的制作方法，其特征在于包括以下步骤：步骤S1：利用外延生长方法在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、基极、InGaAs量子点超晶格结构、发射极、窗口层和接触层后制作出InGaAs量子点太阳能电池外延片，所述InGaAs量子点超晶格结构包括至少一层In_xGa_1‑xAs量子点层、以及设置在所述In_xGa_1‑xAs量子点层之间的间隔层，其中，所述In_xGa_1‑xAs量子点层中In组分0.0≤x≤1.0；步骤S2：在所述InGaAs量子点太阳能电池外延片的所述GaAs衬底背面沉积背电极后将其分割成电池单元，并在所述接触层表面设置上电极，制作出所述InGaAs量子点太阳能电池。