[发明专利]一种维持电压可调的静电放电保护电路有效

专利信息
申请号: 201410637764.1 申请日: 2014-11-06
公开(公告)号: CN104392983B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 王源;郭海兵;陆光易;张立忠;贾嵩;张兴 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 薛晨光
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及集成电路芯片静电放电保护电路领域,尤其涉及一种利用瞬态触发的、维持电压可调的ESD保护电路。该维持电压可调的静电放电保护电路包括瞬态触发模块以及泄放器件可控硅,所述维持电压可调的静电放电保护电路还包括,维持电压调节模块;所述维持电压调节模块,与所述可控硅相连,包括电阻R2、电容C2、反相器INV1、以及PMOS晶体管Mp1和MP2。本文提供的维持电压可调的静电放电保护电路,能够保证芯片在非工作状态时,维持电压大大低于电源电压,以更充分地泄放静电电荷;芯片在工作状态时,维持电压大于电源电压,以避免闩锁效应。
搜索关键词: 一种 维持 电压 可调 静电 放电 保护 电路
【主权项】:
一种维持电压可调的静电放电保护电路,包括瞬态触发模块以及泄放器件可控硅,其特征在于,所述维持电压可调的静电放电保护电路还包括,维持电压调节模块,用以调节维持电压;所述维持电压调节模块,与所述可控硅相连,包括:电阻R2、电容C2、反相器INV1、以及PMOS晶体管Mp1和MP2;其中,所述电阻R2的一端与电源管脚VDD相连,电阻R2的另一端与所述电容C2的上极板相连;所述电容C2的下极板接地;所述反相器INV1的输入端与所述电容C2的上极板相连,所述反相器INV1的输出端与所述PMOS晶体管Mp1和Mp2的栅极相连;所述PMOS晶体管Mp1的源极与所述电源管脚VDD相连,所述PMOS晶体管Mp1的漏极与所述PMOS晶体管Mp2的源极相连;所述PMOS晶体管Mp2的漏极与所述瞬态触发模块中NMOS晶体管Mn1的漏极相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410637764.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top