[发明专利]基于(111)单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计及制作方法

摘要

本发明提供一种基于（111）单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计及制作方法，所述加速度计包括（111）单晶硅基底和集成于单晶硅基底一面的固支板、微梁与力敏电阻。该单晶硅基底上所有功能部件均位于所述单晶硅基底的一面，所述单晶硅基底的另一面不参与工艺制作，加工后的芯片具有尺寸小、工艺简单、成本低的特点，适合大批量生产。同时，所述加速度计实现了高g值、高频响、高带宽的测量要求，大大改善了加速度计的动态测量特性。

主权项

一种基于(111)单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计，其特征在于，包括：(111)单晶硅基底、固支板、微梁和力敏电阻；其中，所述固支板三边固支于所述(111)单晶硅基底内；所述固支板在单晶硅基底表面上的一边为非固支边，所述固支板的两侧面与所述单晶硅基底之间具有一定间距的间隙；所述微梁对称地分布于所述固支板两侧；且所述微梁横跨所述间隙，一端与所述弹性板的非固支边相连接，另一端与所述(111)单晶硅基底相连接；所述微梁纵截面的形状为矩形；所述力敏电阻位于所述微梁上，且相互连接成惠斯通全桥电路。