[发明专利]一种单晶生长方法及装置

摘要

一种单晶生长方法及装置，装置包括加料部、单晶生长部、加热单元和熔料器；开始时,仅有部分籽晶或者部分籽晶和少量预加料全部熔化，在单晶生长部形成熔区，生长单晶的过程中，在熔区的上方以熔液的方式逐步向熔区内添加原料，同时改变加热器与籽晶的相对位置，使熔区相对于籽晶向上移动，直至长成所需尺寸的单晶。本发明由于采用熔液加料，便于分别控制原料熔化和熔液结晶；可以根据结晶需要的最佳条件在很大的范围内自由调整，有利于提高单晶生长速度、改善单晶质量并精确控制单晶成分，还有利于节能。

主权项

一种单晶生长装置，包括加料部、单晶生长部和加热单元，其特征在于：所述加料部和单晶生长部之间设置有对固相原料进行熔化的熔料器，所述熔料器的下部或底部设置有漏液孔，由加料部落入熔料器的固相原料，经加热单元加热熔化后，以熔液的形式滴入或流入单晶生长部的熔区里，作为添加的原料参与单晶生长。