[发明专利]基于磁控溅射共沉积技术的Cu-TiN纳米复合薄膜在审
| 申请号： | 201410639613.X | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104313543A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 祝新发;张岸;励政伟;张安明;李戈扬 | 申请（专利权）人： | 上海工具厂有限公司;上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微电子和微机械技术领域的基于磁控溅射共沉积技术的Cu‐TiN纳米复合薄膜，具有纳米尺度且均匀混合的TiN添加物颗粒及Cu晶粒，TiN添加物颗粒的含量为1.0‐6.0at.％。本发明制备得到的复合薄膜的硬度为4.1‐5.1GPa，电阻率为3‐25μΩcm。在相同含量的添加物(对于Cu基合金薄膜指合金元素含量，对于Cu基复合薄膜则指所加入的化合物的含量)时，不但硬度显著高于目前工业生产上采用的Cu基合金薄膜，而且导电率也不低于而更多的是高于合金薄膜。这种薄膜可用于现代工业特别是微电子和微机械技术领域对导电薄膜提出的高硬度要求。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁控溅射 沉积 技术 cu tin 纳米 复合 薄膜 | ||
【主权项】：
一种基于磁控溅射共沉积技术的Cu‐TiN纳米复合薄膜，其特征在于，具有纳米尺度且均匀混合的TiN添加物颗粒及Cu晶粒，该复合薄膜的硬度为4.1‐5.1GPa，电阻率为3‐25μΩcm。
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