[发明专利]一种耦合窗加热组件有效
| 申请号： | 201410639759.4 | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN105609443B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 宋瑞智 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种耦合窗加热组件。该耦合窗加热组件在耦合窗上表面沿其周向设置有环形加热通道，环形加热通道用于向耦合窗上表面的位于环形加热通道内的部分输送热交换气体，在环形加热通道的内侧壁和/或外侧壁上设置有子通道，子通道用于向耦合窗上表面的位于环形加热通道外的部分输送热交换气体，以实现耦合窗径向上的温度趋于均匀。本发明提供的耦合窗加热组件，其可以解决仅对耦合窗上表面的位于环形加热通道内的部分加热而造成耦合窗的径向温度均匀性差的问题，从而可以提高耦合窗径向上的温度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耦合 加热 组件 | ||
【主权项】：
1.一种耦合窗加热组件，在所述耦合窗上表面沿其周向设置有环形加热通道，所述环形加热通道用于向所述耦合窗上表面的位于所述环形加热通道内的部分输送热交换气体，其特征在于，在所述环形加热通道的内侧壁和/或外侧壁上设置有子通道，所述子通道用于向所述耦合窗上表面的位于所述环形加热通道外的部分输送热交换气体，以实现所述耦合窗径向上的温度趋于均匀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
