[发明专利]一种辐射伏特同位素电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201410639827.7 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104392761A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 刘业兵;杨玉青;罗顺忠;胡睿;徐建;王关全;李昊;钟正坤;魏洪源 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 翟长明;韩志英 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种辐射伏特同位素电池，所述辐射伏特同位素电池由外延硅基肖特基结型换能器件与加载放射源组成，其外延硅基肖特基结型换能器件由下至上分别由下电极金属层、N+或P+型硅基材层、外延N或P型硅层、肖特基势垒金属层、绝缘钝化层、上电极构成。本发明利用外延硅基肖特基器件内阻小和增强背电场效应以及抗辐射强特点，所制备的辐射伏特同位素电池结构简单、制备容易，同位素加载方便且实现放射源和换能器件一体化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 伏特 同位素 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种辐射伏特同位素电池，其特征在于：所述的辐射伏特同位素电池包括外延硅基肖特基结型换能器件与加载放射源（7），其中，外延硅基肖特基结型换能器件由下至上分别由下电极金属层（1）、N+或P+型硅基材层（2）、外延N或P型硅层（3）、肖特基势垒金属层（4）、绝缘钝化层（5）、上电极（6）构成。
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