[发明专利]GaN基Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体LED外延片及生长方法有效
| 申请号： | 201410640054.4 | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104409586B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 马欢;田艳红;牛凤娟 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种GaN基Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体LED外延片及生长方法，所述外延片的结构从下至上依次为衬底，低温GaN缓冲层，第一高温非掺杂GaN层，第二高温非掺杂GaN层，在第二高温非掺杂GaN层上为AlGaN/GaN超晶格层，在AlGaN/GaN超晶格层上为高温N型GaN层，在高温N型GaN层上为应力释放层，MQW保护层，P型电子阻挡层，高温P型GaN层，在高温P型GaN层上为接触层，高温N型GaN层中周期性插入SiN掩膜/N型GaN层，SiN掩膜/N型GaN层的周期数为5～20，本发明的优点是第一，显著提高抗静电能力；第二，有效增强载流子的复合效率；第三，提升LED的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | gan 化合物 半导体 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体LED外延片，其结构从下至上依次为：衬底，低温GaN缓冲层，第一高温非掺杂GaN层，第二高温非掺杂GaN层，其特征在于：在所述第二高温非掺杂GaN层上为AlGaN/GaN超晶格层，在所述AlGaN/GaN超晶格层上为高温N型GaN层，在所述高温N型GaN层上为2～6个InGaN/GaN应力释放层，在所述应力释放层上为MQW保护层，在所述MQW保护层上为P型电子阻挡层，在所述P型电子阻挡层上为高温P型GaN层，在所述高温P型GaN层上为接触层；其中，所述高温N型GaN层中周期性插入SiN掩膜/N型GaN层，所述SiN掩膜/N型GaN层的周期数为5～20；所述MQW保护层由第一AlGaN/InGaN超晶格层组成，所述第一AlGaN/InGaN超晶格层的周期数为3～12；所述P型电子阻挡层由低温生长的P型AlInGaN和高温生长的第二AlGaN/InGaN超晶格层组成，所述第二AlGaN/InGaN超晶格层为P型。
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