[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法

摘要

本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器包括基底、介电层与至少一存储单元串。介电层设置于基底上。存储单元串包括多个存储单元与多个第二介层窗。存储单元垂直相邻地设置于介电层中，且各个存储单元包括第一介层窗、二导线与二可变电阻结构。导线分别设置于第一介层窗的两侧。可变电阻结构分别设置于第一介层窗与导线之间。在垂直相邻的两个存储单元中，位于上方的存储单元的可变电阻结构与位于下方的存储单元的可变电阻结构彼此隔离。第二介层窗分别设置于第一介层窗下方的介电层中并连接于第一介层窗，且垂直相邻的两个第一介层窗通过第二介层窗进行连接。

主权项

1.一种电阻式随机存取存储器，包括：基底；介电层，设置于该基底上；至少一存储单元串，包括：多个存储单元，该些存储单元垂直相邻地设置于该介电层中，其中该些存储单元包括多个第一介层窗、多条导线与多个可变电阻结构，且各该存储单元包括：第一介层窗；二导线，分别设置于该第一介层窗的两侧；以及二可变电阻结构，分别设置于该第一介层窗与该些导线之间，其中在垂直相邻的两个存储单元中，位于上方的该存储单元的该些可变电阻结构与位于下方的该存储单元的该些可变电阻结构彼此隔离；以及多个第二介层窗，分别设置于该些第一介层窗下方的该介电层中并连接于该些第一介层窗，且垂直相邻的两个第一介层窗通过该第二介层窗进行连接。