[发明专利]基板清洗方法、基板清洗系统有效
申请号: | 201410641257.5 | 申请日: | 2014-11-13 |
公开(公告)号: | CN104637784B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 相原明德;田中晓;金子都;田内启士;折居武彦;菅野至 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中,将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中,向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液,该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后,在溶解处理液供给工序中,向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。 | ||
搜索关键词: | 清洗 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种基板清洗方法,其特征在于,该基板清洗方法包括:成膜处理液供给工序,在该成膜处理液供给工序中,向所述基板供给含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液;剥离处理液供给工序,在该剥离处理液供给工序中,向处理膜供给用于使该处理膜自所述基板剥离的剥离处理液,该处理膜是所述成膜处理液因所述挥发成分挥发而在所述基板上固化或硬化而成的,以及溶解处理液供给工序,在所述剥离处理液供给工序后,向所述处理膜供给用于使该处理膜溶解的溶解处理液,其中,在所述成膜处理液供给工序中,所述成膜处理液被以与所述基板之间未隔有抗蚀剂的状态供给到所述基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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