[发明专利]磁检测装置在审
申请号: | 201410641296.5 | 申请日: | 2014-11-13 |
公开(公告)号: | CN104635184A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 尾花雅之;安藤秀人;竹谷努;金子一明 | 申请(专利权)人: | 阿尔卑斯电气株式会社 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王成坤;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种磁检测装置,通过磁场感应层在第一方向上感应出的磁场通过在与感应方向正交的第二朝向上具有灵敏度轴的磁传感器来检测,是能够使针对第二朝向的磁场成分的灵敏度降低、并且不易受来自外部的较强的磁场的影响的构造。Z方向的磁场成分通过磁场感应层(30)而感应出来并沿与磁传感器(20)的灵敏度轴方向相同的X方向被赋予至磁传感器(20)而获得检测输出。用多个磁传感器(20)组成电桥电路,而构成为相对于X方向的磁场成分不做出输出。但是,X方向的外部磁场被磁场感应层(30)牵引,从而有时X方向的灵敏度产生偏差。因此,使磁场感应层(30)的第一部分(31)的软磁特性劣化,使透磁率降低。 | ||
搜索关键词: | 检测 装置 | ||
【主权项】:
一种磁检测装置,其特征在于,设置有:磁场感应层,感应第一方向的磁场成分;以及磁传感器,位于与所述磁场感应层的端部对置的虚拟面上并在与所述第一方向正交的第二方向上具有灵敏度轴,所述磁场感应层具有与所述磁传感器对置的第一部分及远离所述磁传感器的第二部分,第一部分的透磁率比第二部分的透磁率低。
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