[发明专利]具有相变结构的半导体集成电路器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410641758.3 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN104779347A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 李承润;崔康植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了包括相变结构的半导体集成电路器件及其制造方法。该方法包括：提供包括下电极的半导体衬底；在所述半导体衬底上顺序层叠多个相变材料层；以及以台阶形式图案化所述层叠的多个相变材料层以形成相变结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 相变 结构 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体集成电路器件的方法，包括：提供包括下电极的半导体衬底；在所述半导体衬底上顺序层叠多个相变材料层；以及以台阶形式图案化层叠的多个相变材料层以形成相变结构。
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