[发明专利]一种有效提高阻变存储器耐久性的方法有效
| 申请号： | 201410643264.9 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN104464801B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;王国明;张美芸;李阳;许定林;王明;许晓欣;刘红涛;吕杭炳;刘琦;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有效提高阻变存储器耐久性的方法，该方法是在对阻变存储器进行编程操作时，对阻变存储器加载脉冲宽度变化且脉冲高度保持不变的一系列编程小脉冲。利用本发明，可以防止编程过程中，由于脉冲宽度过大，而造成硬击穿，从而提高RRAM耐久性。本方法操作方法简单，降低成本低，有利于本发明的广泛推广与应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 提高 存储器 耐久性 方法 | ||
【主权项】：
一种有效提高阻变存储器耐久性的方法，其特征在于，该方法是在对阻变存储器进行编程操作时，对阻变存储器加载脉冲宽度变化且脉冲高度保持不变的一系列编程小脉冲；并采用传统的擦除操作方法对阻变存储器进行擦除操作，编程操作和擦除操作交替进行，直到阻变存储器失效，记录交替次数，即为测试得到的阻变存储器的耐久性次数；其中，所述对阻变存储器加载脉冲宽度变化且脉冲高度保持不变的一系列编程小脉冲的步骤中，所述编程小脉冲的宽度和数量是根据加载小电流读取阻变存储器的组态来确定的，具体包括：加载脉冲宽度为TP0编程脉冲后，通过读取电流，判断阻变存储器所处状态是否改变，若未改变则第二次加载脉冲幅度不变，脉冲宽度为TP0*α编程脉冲，再次通过读取电流，判断阻变存储器所处状态是否改变，若仍未改变，再次循环进行，直到阻变存储器的状态发生改变，则进行擦除操作，其中第n次加载编程脉冲宽度为TP0*αn‑1，其中α为脉冲宽度变化的幅度。
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