[发明专利]硅片及其生产方法有效
| 申请号： | 201410643571.7 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104451889B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | W·冯阿蒙;G·基辛格;D·科特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B33/04;H01L21/324 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧浓度为5×1017‑7.5×1017cm‑3的硅片，所述硅片在二选一进行以下热过程之后具有以下BMD密度‑在780℃下处理3小时并随后在1000℃下处理16小时之后，BMD密度为至多1×108cm‑3；和‑在以1K/min的加热速率下将该硅片从500℃的起始温度加热到1000℃的目标温度并随后在1000℃下保持16小时之后，BMD密度为至少1×109cm‑3，本发明还涉及一种通过用闪光照射来生产所述硅片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种氧浓度为5×1017‑7.5×1017cm‑3的硅片，其具有BMD密度，其中，‑所述BMD密度为至多1×108cm‑3，前提是将所述硅片在780℃下处理3小时并随后在1000℃下处理16小时；以及‑所述BMD密度为至少1×109cm‑3，前提是以1K/min的加热速率将所述硅片从500℃的起始温度加热到1000℃的目标温度并随后在1000℃下保持16小时。
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