[发明专利]阵列基板制备方法有效
| 申请号： | 201410643661.6 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN104409413B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 王珂;刘圣烈 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 柴亮,张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板制备方法，属于液晶显示技术领域，其可解决现有的液晶显示的阵列基板制备工艺复杂的问题。本发明的阵列基板制备方法包括S1、在基底上依次形成半导体材料层和第一光刻胶层，通过光刻工艺形成包括有源区的图形，至少在有源区用于在薄膜晶体管导通时导电的区域上剩余有第一光刻胶层；S2、在完成前述步骤的基底上形成第一材料层，通过光刻工艺用第一材料层形成包括第一结构的图形。本发明特别适于制备使用金属氧化物薄膜晶体管的阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：S1、在基底上依次形成半导体材料层和第一光刻胶层，通过光刻工艺形成包括有源区的图形，至少在有源区用于在薄膜晶体管导通时导电的区域上剩余有第一光刻胶层；S2、在完成前述步骤的基底上形成第一材料层，通过光刻工艺用第一材料层形成包括第一结构的图形；其中，所述第一材料层为透明导电材料层；所述第一结构为像素电极或公共电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410643661.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
