[发明专利]一种半导体激光器腔镜制备方法

摘要

本发明属于半导体表面改性技术领域，具体涉及一种半导体激光器腔镜制备方法，包括以下步骤步骤一，清洁；步骤二，钝化改性；步骤三，介质膜镀膜；步骤四，翻转，重复步骤一到步骤三，步骤五,移出；该半导体激光器腔镜改性方法，可以兼容化学和物理表面改性技术，提高了表面处理的选择性和完整性；使表面清洁，钝化改性和双面腔镜介质膜镀膜在同一真空腔中一次完成，减少了样品进出操作次数和可能带来的污染和损坏，提高了成本率，并极大提高了生产效率；本方法在同一设备基础上集成了表面清洁，改性钝化和介质膜技术，使表面处理各步骤建立了无缝衔接，提高了成品的性能以及成品率；更进一步，双端面介质膜腔镜的处理也一步完成，更强化了生产效率和质量稳定性；本方法适合批量处理，生产效率高，综合成本低。

主权项

一种半导体激光器腔镜制备方法，其特征在于，集成端面处理,即一次性真空中完成双端面腔镜的介质膜镀膜以及需要的前期辅助步骤,包括表面清洁和改性钝化处理，其具体步骤如下：步骤一，表面清洁；步骤二，表面改性钝化；步骤三，介质膜镀膜；步骤四，样品翻转，重复步骤一到步骤三，移出；所述步骤一中的表面清洁是通过以下步骤进行的：（1.1）将半导体激光器腔镜的样品放入真空腔体中并固定在样品架上；（1.2）把样品的两个端面中的一个端面的方向调整到与等离子清洁处理方向相同的方向；（1.3）对腔体进行抽真空处理，抽真空后腔体的气压达到10‑5Torr～10‑6Torr；（1.4）把样品的温度调节到350℃～450℃，并给真空腔中通入惰性气体，调节真空腔中的气压，使气压保持在1～10Torr范围内，激活真空腔中的等离子体，待稳定等离子态，并对样品表面的吸附物进行清理；（1.5）采用电加热或红外灯以及热电偶反馈来控制样品温度达到600℃，并通入惰性气体，调节气压到1～10Torr范围内,激活等离子体，稳定等离子态,控制偏压30‑50volt，对样品表面通过氟化物来去除表面氧化物；（1.6）处理结束后，抽去真空腔中处理后的气体，并维持真空腔中的气压小于等于10‑6Torr。