[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410645110.3 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104637832B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 日野泰成 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置利用烧结性接合材料，使半导体元件和基板之间的接合部的高温耐久性、品质以及可靠性提高。本发明的半导体装置制造方法的特征在于，具备以下工序：(a)准备绝缘性或导电性基板；(b)在基板(即，绝缘基板)主面的接合区域(3a)配置烧结性接合材料；(c)一边使半导体元件的用于接合的面即接合面与接合材料加压接触，一边对接合材料进行烧结，从而经由接合材料将基板(即，绝缘基板)和半导体元件接合，工序(b)中的接合区域在俯视观察时位于半导体元件的接合面(即，区域(3b))内侧，并且，在工序(c)后，接合材料在俯视观察时也没有向半导体元件的接合面外侧溢出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体元件 接合材料 半导体装置 接合面 基板 俯视观察 接合区域 绝缘基板 接合 烧结性 制造 导电性基板 对接合材料 高温耐久性 加压接触 烧结 接合部 绝缘性 溢出 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序：(a)准备半导体元件、导电性的基板；(b)在所述基板的主面的接合区域中配置烧结性的接合材料；以及(c)将所述半导体元件的背面电极作为用于接合的面即接合面，通过一边使所述接合面与所述接合材料加压接触，一边对所述接合材料进行烧结，从而经由所述接合材料将所述基板和所述半导体元件接合，所述工序(b)中的所述接合区域，在俯视观察时处于所述半导体元件的接合面内侧，在所述工序(c)之后，所述接合材料在俯视观察时位于所述半导体元件的接合面的内侧，所述基板的在俯视观察时与所述半导体元件重叠的区域是平坦的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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