[发明专利]晶体管、放大器电路和集成电路有效
| 申请号： | 201410645155.0 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN104681599B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 维特·桑迪·恩;托尼·范胡克;埃弗利娜·格里德莱特;安可·赫琳哈;让·威廉·斯伦特伯;迪克·克拉森 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/36;H03F1/02;H03F3/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨静 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管(100、200、300)，具有第一导电类型的第一区域(120、320)和第一导电类型的横向延伸的第二区域(140、340)，横向延伸的第二区域具有包括用于从晶体管排出电荷载流子的接触端子(145、345)的部分(142、342)，第一区域通过第二导电类型的中间区域(130、330)与第二区域分隔开，中间区域限定了与第一区域的第一p‑n结以及与第二区域的第二p‑n结，其中横向延伸的区域将所述部分与所述第二p‑n结分隔开，晶体管还包括：衬底(110)，具有第二导电类型的掺杂区域(112)，所述掺杂区域与所述横向延伸的第二区域接触并且沿着所述横向延伸的第二区域延伸；以及另一接触端子(115)，用于从所述横向延伸的第二区域排出少数电荷载流子。 | ||
| 搜索关键词： | 第二区域 横向延伸 晶体管 第一区域 第一导电类型 掺杂区域 导电类型 接触端子 中间区域 排出 分隔 少数电荷载流子 电荷载流子 放大器电路 衬底 集成电路 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，所述晶体管具有第一导电类型的发射极区和第一导电类型的横向延伸的集电极区，所述发射极区用于将电荷载流子注入到所述晶体管中，所述横向延伸的集电极区具有包括用于从所述晶体管排出所述电荷载流子的接触端子在内的部分，其中，所述发射极区通过第二导电类型的基极区与所述集电极区分隔开，所述基极区限定了与发射极区的第一p-n结以及与横向延伸的集电极区的第二p-n结，其中所述横向延伸的集电极区在0.5至5.0μm范围内的宽度上横向延伸并且沿着远离第二p-n结的方向横向延伸从而将包括所述接触端子的所述部分与所述第二p-n结分隔开，并且晶体管还包括：衬底，具有第二导电类型的掺杂区域，其中所述掺杂区域具有比集电极区高的掺杂浓度，所述掺杂区域与所述横向延伸的集电极区接触并且沿着所述横向延伸的集电极区延伸；以及另一接触端子，与所述掺杂区域连接，以从所述横向延伸的集电极区排出少数电荷载流子。
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