[发明专利]一种红色LED芯片制程工艺中的P面蒸镀方法在审
| 申请号： | 201410647153.5 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104393123A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 沈智广 | 申请（专利权）人： | 无锡科思电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C14/24 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种红色LED芯片制程工艺中的P面蒸镀方法，依次在CaAs衬底的任意一面上设置N-GaP-Si层、发光层、P-GaP-Mg层、第一Au层、AuBe层、第二Au层；其中，AuBe层的蒸镀温度为540℃～560℃，经过该温度所做的热处理，使得处理后的表面均匀、平整，其伏-安特性斜率大，接触电阻小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红色 led 芯片 工艺 中的 面蒸镀 方法 | ||
【主权项】：
一种红色LED芯片制程工艺中的P面蒸镀方法，包括如下步骤：步骤1、在CaAs衬底的任意一面上设置N‑GaP‑Si层；步骤2、在N‑GaP‑Si层上设置发光层；步骤3、在发光层上设置P‑GaP‑Mg层；步骤4、在P‑GaP‑Mg层上设置第一Au层；步骤5、在第一Au层上设置AuBe层；步骤6、在AuBe层上设置第二Au层；其特征在于：所述步骤4至步骤6采用蒸镀的方法设置，其中步骤5的蒸镀温度为540℃～560℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡科思电子科技有限公司，未经无锡科思电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410647153.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
