[发明专利]具有渐变锗组分本征层的非晶硅薄膜太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有渐变锗组分本征层的非晶硅薄膜太阳电池及其制备方法，从下往上依次包括氮化硅薄膜，玻璃层4；透明导电薄膜，P型重掺杂微晶Si薄膜，P型重掺杂氢化单晶碳化硅缓冲层，P型轻掺杂氢化非晶硅，本征氢化非晶硅锗薄膜，n型氢化非晶硅薄膜，背面的透明导电薄膜和铝衬底，所述氮化硅薄膜上设有正电极，所述铝衬底下端设有负电极。本发明加入双层氮化硅(SiN)结构，从而提高了减反射效果，使得太阳电池对入射光的吸收增强，有利于提高太阳电池的光电转换效率；本征层采用氢化非晶硅锗材料，其中锗组分在本征层是渐变的，拓宽了光谱响应范围，增加了电池对太阳光的吸收，从而增加了太阳电池的光电转换效率。

主权项

具有渐变锗组分本征层的非晶硅薄膜太阳电池，其特征在于，从下往上依次包括氮化硅薄膜，玻璃层；透明导电薄膜，P型重掺杂微晶Si薄膜，P型重掺杂氢化单晶碳化硅缓冲层，P型轻掺杂氢化非晶硅，本征氢化非晶硅锗薄膜，n型氢化非晶硅薄膜，背面的透明导电薄膜和铝衬底，所述氮化硅薄膜上设有正电极，所述铝衬底下端设有负电极。