[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器及其制造方法。根据一实施例，此种三维存储器包括一薄膜晶体管。此一薄膜晶体管具有分开设置的一源极区及一漏极区。源极区包括一第一源极区及一第二源极区，第二源极区设置于第一源极区与漏极区之间。第一源极区为p型掺杂，第二源极区为n型掺杂，漏极区为n型掺杂。

主权项

1.一种三维存储器，包括：一薄膜晶体管，具有分开设置的一源极区及一漏极区，其中该源极区包括一第一源极区及一第二源极区，该第二源极区设置于该第一源极区与该漏极区之间，且其中该第一源极区为p型掺杂、该第二源极区为n型掺杂、该漏极区为n型掺杂；其中该源极区与该漏极区均穿过由交替层叠的多个导电层及多个绝缘层构成的一叠层。