[发明专利]一种Si衬底GaN基肖特基势垒二极管器件的三维互联结构及三维互联方法有效
| 申请号： | 201410648060.4 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104465631B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;周桂林;张佰君 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/532;H01L29/872;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Si衬底GaN基肖特基势垒二极管器件三维互联技术，包括两个或两个以上的二极管，单个二极管包括从下至上排列的Si衬底层（1）、GaN外延层（2）、电极层，其中所述电极层的阴极（3）和阳极（4）相对、且间隔开地设置在GaN外延层（2）上，其特征在于两个或者两个以上的二极管键合成上下叠装的层状结构、且上下相邻的两层二极管的接触面均由绝缘层（6）隔开，各层二极管的阴极和阳极分别排成一竖列；除位于最底层的二极管外，其上层的所有二极管和绝缘层由两竖向通孔贯穿，所述两竖向通孔分别位于对应各二极管的阴极（3）和阳极（4）的位置；所述两竖向通孔孔壁分别沉积有一绝缘层（6）；所述两竖向通孔（2、3）内沉积有联通各层二极管的对应电极的金属（7）。本发明可实现二极管之间的叠装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 衬底 gan 肖特基势垒二极管 器件 三维 联结 方法 | ||
【主权项】：
一种Si衬底GaN基肖特基势垒二极管器件的三维互联结构，包括两个以上二极管，单个二极管包括从下至上排列的Si衬底层（1）、GaN外延层（2）、电极层，其中所述电极层的阴极（3）和阳极（4）相对、且间隔开地设置在GaN外延层（2）上，其特征在于：两个以上的二极管键合成上下叠装的层状结构、且上下相邻的两层二极管的接触面均由绝缘层（6）隔开，各层二极管的阴极和阳极分别排成一竖列；除位于最底层的二极管外，其上层的所有二极管和绝缘层由两竖向通孔贯穿，所述两竖向通孔分别位于对应各二极管的阴极（3）和阳极（4）的位置；所述两竖向通孔孔壁分别沉积有一绝缘层（6）；联通各层二极管的阴极（3）和阳极（4）的两个通孔沉积金属（7）。
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