[发明专利]压力传感器及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201410648299.1 申请日: 2014-11-14
公开(公告)号: CN105651450B 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 伏广才;陈雷雨 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G01L9/02 分类号: G01L9/02;B81C1/00;B81B1/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 万铁占;骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种压力传感器及其的形成方法,其中压力传感器的形成方法包括:提供半导体衬底,在半导体衬底上形成有第一层间介质层、下极板、第一互连层;在下极板上方形成牺牲层;在第一层间介质层、第一互连层和牺牲层上形成上极板;在形成牺牲层之后且在形成上极板之前,在第一互连层中形成连接槽,上极板填充满连接槽;或者,在形成上极板之后,在上极板和第一互连层中形成连接槽,之后在连接槽中形成连接上极板和第一互连层的导电层;去除牺牲层以形成空腔。在下极板上方形成牺牲层过程中产生的有机聚合物就不会附着在连接槽侧壁、底部,压力传感器对施加在其上的较小压力也能准确感知并量测,提升了压力传感器的灵敏度,性能较佳。
搜索关键词: 上极板 压力传感器 互连层 连接槽 牺牲层 第一层 介质层 衬底 极板 半导体 有机聚合物 导电层 灵敏度 下极板 小压力 侧壁 附着 空腔 量测 感知 去除 施加
【主权项】:
1.一种压力传感器的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有第一层间介质层、位于所述第一层间介质层中的下极板、与所述下极板位于同一层且间隔开的第一互连层;在所述下极板上方形成牺牲层;在所述第一层间介质层、第一互连层和牺牲层上形成上极板;在形成所述牺牲层之后且在形成所述上极板之前,在所述第一互连层中形成连接槽,所述上极板填充满连接槽以与第一互连层电连接;或者,在形成所述上极板之后,在所述上极板和第一互连层中形成连接槽,之后在所述连接槽中形成连接上极板和第一互连层的导电层;在将所述上极板和第一互连层电连接后,去除所述牺牲层以形成空腔。
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