[发明专利]光电转换器、探测器及扫描设备有效
申请号: | 201410648328.4 | 申请日: | 2014-11-14 |
公开(公告)号: | CN105655435B | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 谢庆国;朱俊;牛明;王璐瑶 | 申请(专利权)人: | 苏州瑞派宁科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;G01T1/202 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215163 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种光电转换器,其包括硅光电倍增管阵列及与硅光电倍增管阵列耦合的光导,硅光电倍增管阵列为i×j个硅光电倍增管在水平面上拼接而成,i和j都是大于或等于2的整数。一种探测器,其包括闪烁晶体、电子学系统、光导、硅光电倍增管。一种扫描设备,其包括探测装置和机架,所述探测装置包括探测器,所述探测器包括所述的光电转换器。本发明主要采用硅光电倍增管的光电转换方案,因为硅光电倍增管体积小巧,排列紧实,适当尺寸与个数的硅光电倍增管搭配适合形状的光导后,可搭建高空间分辨率的PET探测器,最终提高整个PET系统的空间分辨率,并且很适合搭建具有DOI和TOF性能的PET探测器,能用于PET/MRI、成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换器 探测器 扫描 设备 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换器,其特征在于:所述光电转换器包括硅光电倍增管阵列,所述硅光电倍增管阵列为i×j个硅光电倍增管在水平面上拼接成,所述i为水平面上长度方向的硅光电倍增管个数,所述j为水平面上宽度方向的硅光电倍增管个数,所述i和j都是大于或等于2的整数;单颗所述硅光电倍增管的探测面积在1×1mm2至6×6mm2之间,所述硅光电倍增管的微像素单元面积在25×25μm2至100×100μm2之间;所述光电转换器还包括与所述硅光电倍增管阵列耦合的光导,所述光导包括光纤或普通无机玻璃或有机玻璃,所述光导包括P层,所述P的范围在1至4层之间;所有所述光导加起来的厚度范围在0.1mm至50mm之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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